A structure and method for forming an integrated circuit structure including forming at least one transistor structure, forming at least one ferroelectric capacitor above the transistor structure, annealing the ferroelectric capacitor, and forming at least one conductive contact between the transistor structure and the ferroelectric capacitor.

Una struttura e un metodo per formare una struttura del circuito integrato compreso formare almeno una struttura del transistore, formando almeno un condensatore ferroelectric sopra la struttura del transistore, temprante il condensatore ferroelectric e formante almeno un contatto conduttivo fra la struttura del transistore ed il condensatore ferroelectric.