A magneto-resistive memory cell and a method of forming the memory cell, includes a substrate, a single crystalline semiconductor diode formed in the substrate; and a first thin film conductor recessed in the substrate, and a second thin film conductor form above a magnetic tunnel junction formed on the diode. The diode and first thin film conductor share a non-planar common surface, such that the metal tunnel junction is a predetermined distance from the thin film conductor.

Una célula de memoria magnetoresistente y un método de formar la célula de memoria, incluye un substrato, un solo diodo cristalino del semiconductor formado en el substrato; y un primer conductor de la película fina ahuecado en el substrato, y una segunda forma del conductor de la película fina sobre una ensambladura magnética del túnel formaron en el diodo. El diodo y la primera parte del conductor de la película fina una superficie común no-non-planar, tal que la ensambladura del túnel del metal es una distancia predeterminada del conductor de la película fina.