A multilevel interconnect structure with a low-k dielectric constant is fabricated in an integrated circuit structure by the steps of depositing a layer of photoresist on a substrate assembly, etching the photoresist to form openings, forming a metal layer on the photoresist layer to fill the openings and then removing the photoresist layer by, for example, ashing. The metal layer is supported by the metal which filled the openings formed in the photoresist.

Многоуровневая структура interconnect с nizko1-k диэлектрической константой изготовлена в структуре интегрированной цепи шагами депозировать слой фоторезиста на агрегате субстрата, вытравляя фоторезист для того чтобы сформировать отверстия, формируя слой металла на слое фоторезиста для того чтобы заполнить отверстия и после этого извлекая слой фоторезиста мимо, например, ashing. Слой металла поддержан металлом заполнил отверстия сформированные в фоторезисте.