An aluminum-nitride sintered body that has both high thermal conductivity and high mechanical strength, a fabricating method for the same, and a semiconductor substrate comprising the same. A material powder is prepared by mixing an aluminum-nitride powder, constituting 1 to 95 wt. %, having an average particle diameter of 1.0 .mu.m or less obtained by chemical vapor deposition, with another type or types of aluminum-nitride powders constituting the remaining part. The material powder is sintered in a non-oxidizing atmosphere to obtain a sintered body having an average grain diameter of 2 .mu.m or less and a half width of the diffraction peak on the (302) plane, obtained by X-ray diffraction, of 0.24 deg. or less. Formation of a metallized layer on the sintered body yields a semiconductor substrate.

Um alumínio-aluminum-nitride sintered o corpo que tem o conductivity térmico elevado e força mecânica elevada, um método fabricando para o mesmo, e uma carcaça do semicondutor que compreende o mesmo. Um pó material é preparado misturando um pó do alumínio-aluminum-nitride, constituindo 1 a 95 wt. %, tendo um diâmetro médio da partícula do mu.m 1.0 ou obtido mais menos pelo deposition de vapor químico, com um outro tipo ou tipos de pós do alumínio-aluminum-nitride que constituem a parte restante. O pó material sintered em uma atmosfera deoxidação para obter um corpo sintered que tem um diâmetro médio da grão do mu.m 2 ou de menos e uma meia largura do pico do diffraction (nos 302) planos, obtidos pelo diffraction de raio X, de 0.24 grau ou mais menos. A formação de uma camada metalizada no corpo sintered rende uma carcaça do semicondutor.