A method for forming a platen useful for forming nanoscale wires for device applications comprises: (a) providing a substrate having a major surface; (b) forming a plurality of alternating layers of two dissimilar materials on the substrate to form a stack having a major surface parallel to that of the substrate; (c) cleaving the stack normal to its major surface to expose the plurality of alternating layers; and (d) etching the exposed plurality of alternating layers to a chosen depth using an etchant that etches one material at a different rate than the other material to thereby provide the surface with extensive strips of indentations and form the platen useful for molding masters for nano-imprinting technology. The pattern of the platen is then imprinted into a substrate comprising a softer material to form a negative of the pattern, which is then used in further processing to form nanowires. The nanoscale platen thus comprises a plurality of alternating layers of the two dissimilar materials, with the layers of one material etched relative the layers of the other material to form indentations of the one material. The platen is then oriented such that the indentations are parallel to a surface to be imprinted.

Un método para formar un cristal de exposición útil para formar los alambres del nanoscale para los usos del dispositivo abarca: (a) proporcionando un substrato que tiene una superficie importante; (b) formando una pluralidad de capas que se alternan de dos materiales disímiles en el substrato para formar un apilado que tiene una superficie importante paralela a la del substrato; (c) hendiendo el apilado normal a su superficie importante para exponer la pluralidad de capas que se alternan; y (d) grabando al agua fuerte la pluralidad expuesta de capas que se alternan a una profundidad elegida usando un etchant que grabó al agua fuerte un material en una diversa tarifa que el otro material de tal modo para proveer de la superficie las tiras extensas de muescas y para formar el cristal de exposición útil para los amos del moldeado para nano-imprimir tecnología. El patrón del cristal de exposición entonces se imprime en un substrato que abarca un material más suave para formar una negativa del patrón, que entonces se utiliza en la transformación posterior para formar nanowires. El cristal de exposición del nanoscale abarca así una pluralidad de capas que se alternan de los dos materiales disímiles, con las capas de un pariente grabado al agua fuerte material las capas del otro material para formar muescas del un material. El cristal de exposición entonces se orienta tales que las muescas son paralelas a una superficie que se imprimirá.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Semiconductor chip interconnect barrier material and fabrication method

> TRAF inhibitors

> (none)

~ 00016