A magnetic tunnel junction device has a multi-layer structure including a pair of electrode layers of a ferromagnetic material and a tunnel barrier layer of an insulating material between the electrode layers. In order to realize a low resistance, the multi-layer structure also includes an intermediate layer provided between the barrier layer and one of the electrode layers and including a conductive material having a work function with a value which is at least 25% lower than the value of the work function of the material of the respective electrode layer.

Μια μαγνητική συσκευή συνδέσεων σηράγγων έχει μια πολυστρωματική δομή συμπεριλαμβανομένου ενός ζευγαριού των στρωμάτων ηλεκτροδίων ενός σιδηρομαγνητικού υλικού και ενός στρώματος εμποδίων σηράγγων ενός μονώνοντας υλικού μεταξύ των στρωμάτων ηλεκτροδίων. Προκειμένου να πραγματοποιηθεί μια χαμηλή αντίσταση, η πολυστρωματική δομή περιλαμβάνει επίσης ένα ενδιάμεσο στρώμα που παρέχεται μεταξύ του στρώματος εμποδίων και ενός από τα στρώματα ηλεκτροδίων και συμπεριλαμβανομένου ενός αγώγιμου υλικού που έχει μια λειτουργία εργασίας αξίας που είναι τουλάχιστον 25% χαμηλότερη από την αξία της λειτουργίας εργασίας του υλικού του αντίστοιχου στρώματος ηλεκτροδίων.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Ferroelectric memory devices including capacitors located outside the active area and made with diffusion barrier layers

> Semiconductor substrate, light-emitting device, and method for producing the same

> (none)

~ 00016