A method of removing Chemical Mechanical Polishing (CMP) residue from a semiconductor substrate is disclosed. The semiconductor substrate with the CMP residue on a surface is placed within a pressure chamber. The pressure chamber is then pressurized. Supercritical carbon dioxide and a solvent are introduced into the pressure chamber. The supercritical carbon dioxide and the chemical are maintained in contact with the semiconductor substrate until the CMP residue is removed from the semiconductor substrate. The pressure chamber is then flushed and vented.

Μια μέθοδος το χημικό μηχανικό γυαλίζοντας υπόλειμμα (CMP) από ένα υπόστρωμα ημιαγωγών αποκαλύπτεται. Το υπόστρωμα ημιαγωγών με το υπόλειμμα CMP σε μια επιφάνεια τοποθετείται μέσα σε μια αίθουσα πίεσης. Η αίθουσα πίεσης είναι έπειτα διατηρημένη σταθερή ατμοσφαιρική πίεση. Το εξαιρετικά κρίσιμο διοξείδιο του άνθρακα και ένας διαλύτης εισάγονται στην αίθουσα πίεσης. Το εξαιρετικά κρίσιμο διοξείδιο του άνθρακα και η χημική ουσία διατηρούνται σε επαφή με το υπόστρωμα ημιαγωγών έως ότου αφαιρείται το υπόλειμμα CMP από το υπόστρωμα ημιαγωγών. Η αίθουσα πίεσης ξεπλένεται έπειτα και αερίζεται.