A method for transferring of individual devices or circuit elements, fabricated on a semiconducting substrate, to a new substrate and placing said devices and elements in predetermined locations on the new substrate. The method comprises shaping the devices and circuits as truncated cones, lifting them off the original semiconducting substrates and depositing them en masse onto the new substrate, followed by their placing into receptors on the new substrate. The new substrate has preliminarily made receptors in a form of a truncated cone and the devices and circuits fill these receptors. Both the receptors and the devices and circuits have metallization contacts enabling to establish electrical contact between them. A method for real-time monitoring and verification of correctness of placement of the devices and circuits into the receptors by applying voltage pulse waveforms and measuring the resulting current pulse.

Eine Methode für das Bringen der einzelnen Vorrichtungen oder der Schaltkreiselemente, fabriziert auf einem Halbleitersubstrat, auf ein neues Substrat und das Legen der besagten Vorrichtungen und der Elemente in vorbestimmte Positionen auf das neue Substrat. Die Methode enthält das Formen der Vorrichtungen und der Stromkreise als beschnittene Kegel, das Anheben sie weg von den ursprünglichen Halbleitersubstraten und sie auf das neue Substrat in Massen niederlegen, gefolgt von ihrer Plazierung in Empfänger auf das neue Substrat. Das neue Substrat hat einleitend Empfänger in einer Form eines beschnittenen Kegels und der Vorrichtungen und der Stromkreise diese Empfänger füllen gelassen. haben die Empfänger und die Vorrichtungen und die Stromkreise Metallizationkontakte ermöglichend, elektrischen Kontakt zwischen ihnen herzustellen. Eine Methode für die Realzeitüberwachung und Überprüfung von Korrektheit der Plazierung der Vorrichtungen und der Stromkreise in die Empfänger durch das Anwenden von von Spannung Impulswellenformen und das Messen des resultierenden Stromschrittes.