A method of fabricating a gallium nitride or like epilayer on sapphire is disclosed wherein a buffer layer is grown on the sapphire substrate by magnetron sputter epitaxy (MSE); and then the gallium nitride epilayer is formed on the buffer layer, preferably by molecular beam epitaxy.

Um método de fabricar um nitride do gallium ou como o epilayer no sapphire é divulgado wherein uma camada do amortecedor é crescida na carcaça do sapphire pelo magnétron sputter o epitaxy (MSE); e o epilayer do nitride do gallium é dado forma então na camada do amortecedor, preferivelmente pelo epitaxy de feixe molecular.