A method for fabricating a semiconductor structure comprises the steps of providing a silicon substrate (10) having a surface (12); forming on the surface of the silicon substrate an interface (14) comprising a single atomic layer of silicon, nitrogen, and a metal; and forming one or more layers of a single crystal oxide (26) on the interface. The interface comprises an atomic layer of silicon, nitrogen, and a metal in the form MSiN.sub.2, where M is a metal. In a second embodiment, the interface comprises an atomic layer of silicon, a metal, and a mixture of nitrogen and oxygen in the form MSi[N.sub.1- O.sub.x ].sub.2, where M is a metal and X is 0.ltoreq.X<1.

Метод для изготовлять структуру полупроводника состоит из шагов обеспечивать субстрат кремния (10) имея поверхность (12); формирующ на поверхности субстрата кремния поверхность стыка (14) состоя из одиночного атомного слоя кремния, азота, и металла; и формирующ one or more слои окиси одиночного кристалла (26) на поверхности стыка. Поверхность стыка состоит из атомного слоя кремния, азота, и металла в форме MSiN.sub.2, где м будет металл. В втором воплощении, поверхность стыка состоит из атомного слоя кремния, металла, и смесь азота и кислород в форме MSi[N.sub.1- O.sub.x ].sub.2, где м будет металлом и х будут 0.ltoreq.X