A field-effect transistor structure wherein a single patterned thin film semiconductor layer: is monocrystalline, and epitaxially matched to and dielectrically isolated from an underlying body region, in channel locations; and is polycrystalline in source/drain locations which abut said channel locations.

Eine fangen-effect Transistorstruktur, worin eine einzelne patterned Dünnfilmhalbleiterschicht: ist monokristallin, und Epitaxial- zusammengepaßt zu und von einer zugrundeliegenden Körperregion, in den Kanalzellen dielektrisch lokalisiert; und ist in den source/drain Positionen polykristallin, die besagte Kanalzellen berühren.