An InGaAlP active region 3, which substantially lattice-matches with a GaAs substrate 1, has a multiple quantum well structure (MQW) formed by quantum well layers 11 of InGaP. When the oscillating wavelength caused by the current injection is less than or equal to 670 nm, the thickness (Lz) of the InGaP quantum well layers 11 is set to be less than 8 nm to form a lattice mismatching so that the quantum well layers 11 have a greater lattice constant than that of the GaAs substrate 1, and a compressive strain is added to the quantum well layers 11. Thus, gain is increased by reducing the thickness of the quantum well layers 11 and adding the compressive strain thereto, so that it is possible to achieve the improvement of the temperature characteristics, such as a reduced threshold, an improved efficiency, and a reduced current during operation at a high temperature, in a laser having an oscillating wavelength of 650 nm.

Een InGaAlP actief gebied 3, dat wezenlijk de rooster-gelijken met een GaAs substraat 1, goed een veelvoudig quantum heeft structureren (MQW) vormde zich door quantum goed lagen 11 van InGaP. Wanneer de oscillerende golflengte die door de huidige injectie wordt veroorzaakt minder dan of gelijk aan 670 NM is, wordt dikte (Lz) van de InGaP quantum goed lagen 11 geplaatst om minder te zijn dan 8 NM om een rooster te vormen dat zodat quantumlagen 11 goed een grotere roosterconstante dan dat van GaAs substraat 1 slecht combineert hebben, en een samenpersende spanning toegevoegd=worden= aan quantum goed lagen 11. Aldus, wordt de aanwinst verhoogd door de dikte van quantumlagen 11 goed te verminderen en de samenpersende spanning toe te voegen daaraan, zodat het mogelijk is om de verbetering van de temperatuurkenmerken, zoals een verminderde drempel, een betere efficiency, en a te bereiken op hoge temperatuur, in een laser die een oscillerende golflengte van 650 NM heeft.