An embodiment of the instant invention is a method of forming a first transistor having a first gate electrode and a second transistor having a second gate electrode on a semiconductor substrate, the method comprising the steps of: forming a conductive material (step 216 of FIG. 2) insulatively disposed over the semiconductor substrate, the conductive material having a work function; and altering a portion of the conductive material (step 218 of FIG. 2) so as to change the work function of the altered conductive material, the conductive material to form the first gate electrode and the altered conductive material to form the second gate electrode. Preferably, the first transistor is an NMOS device, the second transistor is a PMOS device, and the first transistor and the second transistor form a CMOS device. The conductive material is, preferably, comprised of a conductor selected from the group consisting of: Ta, Mo, Ti and any combination thereof. Preferably, the step of altering a portion of the conductive material is comprised of: subjecting the portion of the conductive material to a plasma which incorporates a nitrogen-containing gas.

Μια ενσωμάτωση της στιγμιαίας εφεύρεσης είναι μια μέθοδος μια πρώτη κρυσταλλολυχνία που έχουν ένα πρώτο ηλεκτρόδιο πυλών και μια δεύτερη κρυσταλλολυχνία που έχει ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο πυλών σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, η μέθοδος που περιλαμβάνει τα βήματα: διαμόρφωση ενός αγώγιμου υλικού (βήμα 216 του σχεδίου 2) που διατίθεται insulatively πέρα από το υπόστρωμα ημιαγωγών, το αγώγιμο υλικό που έχει μια λειτουργία εργασίας και αλλάζοντας μια μερίδα του αγώγιμου υλικού (βήμα 218 του σχεδίου 2) ώστε να αλλαχτεί η λειτουργία εργασίας του αλλαγμένου αγώγιμου υλικού, το αγώγιμο υλικό για να διαμορφώσει το πρώτο ηλεκτρόδιο πυλών και το αλλαγμένο αγώγιμο υλικό για να διαμορφώσει το δεύτερο ηλεκτρόδιο πυλών. Κατά προτίμηση, η πρώτη κρυσταλλολυχνία είναι μια nmos συσκευή, η δεύτερη κρυσταλλολυχνία είναι μια pmos συσκευή, και η πρώτη κρυσταλλολυχνία και η δεύτερη μορφή κρυσταλλολυχνιών μια συσκευή CMOS. Το αγώγιμο υλικό, κατά προτίμηση, αποτελείται από έναν αγωγό που επιλέγεται από την ομάδα που αποτελείται από: TA, MO, Tj και οποιοσδήποτε συνδυασμός επ' αυτού. Κατά προτίμηση, το βήμα της αλλαγής μιας μερίδας του αγώγιμου υλικού αποτελείται από: υποβάλλοντας τη μερίδα του αγώγιμου υλικού σε ένα πλάσμα που ενσωματώνει nitrogen-containing αέριο.