High performance photovoltaic modules are produced with improved interconnects by a special process. Advantageously, the photovoltaic modules have a dual layer back (rear) contact and a front contact with at least one layer. The front contact and the inner layer of the back contact can comprise a transparent conductive oxide. The outer layer of the back contact can comprise a metal or metal oxide. The front contact can also have a dielectric layer. In one form, the dual layer back contact comprises a zinc oxide inner layer and an aluminum outer layer and the front contact comprises a tin oxide inner layer and a silicon dioxide dielectric outer layer. One or more amorphous silicon-containing thin film semiconductors can be deposited between the front and back contacts. The contacts can be positioned between a substrate and an optional superstrate. During production, the transparent conductive oxide layer of the front contact is scribed by a laser, then the amorphous silicon-containing semiconductors and inner layer of the dual layer back contact are simultaneously scribed and trenched (drilled) by the laser and the trench is subsequently filled with the same metal as the outer layer of the dual layer back contact to provide a superb mechanical and electrical interconnect between the front contact and the outer layer of the dual layer back contact. The outer layer of the dual layer back contact can then be scribed by the laser. For enhanced environmental protection, the photovoltaic modules can be encapsulated.

Le rendement élevé des modules que photovoltaïques sont produits avec amélioré relie ensemble par un processus spécial. Avantageusement, les modules photovoltaïques ont un contact (arrière) duel de dos de couche et un contact avant avec au moins une couche. Le contact avant et la couche intérieure du contact arrière peuvent comporter un oxyde conducteur transparent. La couche externe du contact arrière peut comporter un métal ou un oxyde de métal. Le contact avant peut également avoir une couche diélectrique. Sous une forme, le contact duel de dos de couche comporte une couche intérieure d'oxyde de zinc et une couche externe en aluminium et le contact avant comporte une couche intérieure d'oxyde de bidon et une couche externe diélectrique de bioxyde de silicium. Un ou plusieurs semi-conducteurs silicium-contenants amorphes de la couche mince peuvent être déposés entre l'avant et les contacts de dos. Les contacts peuvent être placés entre un substrat et un superstrate facultatif. Pendant la production, la couche conductrice transparente d'oxyde du contact avant est tracée par un laser, puis les semi-conducteurs silicium-contenants amorphes et la couche intérieure du contact duel de dos de couche sont simultanément tracés et trenched (foré) par le laser et le fossé est plus tard rempli de même métal que la couche externe du contact duel de dos de couche pour fournir une interconnexion mécanique et électrique superbe entre le contact avant et la couche externe du contact duel de dos de couche. La couche externe du contact duel de dos de couche peut alors être tracée par le laser. Pour la protection de l'environnement augmentée, les modules photovoltaïques peuvent être encapsulés.