This invention relates to a robust method of fabrication used for
semiconductor integrated circuit devices, and more specifically to the
formation of an improved copper metal diffusion barrier layer, TiSiN, by a
combination of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and
multi-step plasma treatment that improves the diffusion resistant
properties of the barrier layer (at both interfaces or surfaces) for both
copper and silicon diffusion, in a single and dual damascene process, to
fabricate reliable metal interconnects and contact vias. After a
metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) to form TiN.sub.x C.sub.y
O.sub.z, TiC.sub.x N.sub.y H.sub.z complexes, a multi-step plasma
treatment follows. The first plasma treatment bombards the surface with
nitrogen and hydrogen ions to reduce the complexes to TiN. The TiN barrier
layer is then treated with an enhanced plasma deposition by using silane
and bombarding the surface with silicon ions. The net result is the
formation of a TiSiN film with improved diffusion resistance.
Этот вымысел относит к робастному методу изготовления используемому для приспособлений интегрированной цепи полупроводника, и более специфически к образованию улучшенного медного слоя барьера диффузии металла, TiSiN, комбинацией металл-organiceskogo низложения химически пара (mocvd) и multi-step обработки плазмы которая улучшает свойства диффузии упорные слоя барьера (как на поверхностях стыка так и на поверхностях) как для меди так и для диффузии кремния, в одиночном и двойном damascene процессе, изготовить надежный металл vias соединяет и контакта. После металл-organiceskogo низложения химически пара (mocvd) к форме TiN.sub.x C.sub.y O.sub.z, комплексам TiC.sub.x N.sub.y H.sub.z, multi-step обработка плазмы следует за. Первая обработка плазмы бомбардирует поверхность с ионами азота и водопода для уменьшения комплексов к олову. Слой барьера олова после этого обработан с увеличенным низложением плазмы путем использование силана и бомбардировать поверхность с ионами кремния. Чистыйа результат будет образование пленки TiSiN с улучшенным сопротивлением диффузии.
