A semiconductor device has a first region, a second region and a border region between the first region and the second region. The semiconductor device has an interlayer dielectric layer, covering at least the first region and the second region. A first wiring layer is located in the first region and defines a relatively small pattern. A second wiring layer is located in the second region and defines a relatively large pattern that is wider than the small pattern. A first dummy pattern is formed in the first region and a second dummy pattern is formed in the border region. The interlayer dielectric layer includes a planarization silicon oxide film. The planarization silicon oxide film is one of a silicon oxide film formed by a polycondensation reaction between a silicon compound and hydrogen peroxide, an organic SOG (Spin On Glass) film an inorganic SOG film and a silicon oxide film formed by reacting an organic silane with ozone or water. The interlayer dielectric layer located over the first wiring layer is thinner than the interlayer dielectric layer located over the second wiring layer such that a global height difference occurs in the border region between the first region and the second region.

Un dispositivo a semiconduttore ha una prima regione, una seconda regione e una regione del bordo fra la prima regione e la seconda regione. Il dispositivo a semiconduttore ha uno strato dielettrico dello strato intermedio, riguardando almeno la prima regione e la seconda regione. Un primo strato dei collegamenti è situato nella prima regione e definisce un modello relativamente piccolo. Un secondo strato dei collegamenti è situato nella seconda regione e definisce un modello relativamente grande che è più largo di piccolo modello. Un primo modello fittizio è formato nella prima regione e un secondo modello fittizio è formato nella regione del bordo. Lo strato dielettrico dello strato intermedio include una pellicola dell'ossido del silicone di planarization. La pellicola dell'ossido del silicone di planarization è una di una pellicola dell'ossido del silicone costituita da una reazione di policondensazione fra un residuo del silicone ed il perossido di idrogeno, una pellicola organica di SOG (rotazione su vetro) una pellicola inorganica di SOG e una pellicola dell'ossido del silicone ha formato reagendo un silano organico con l'ozono o acqua. L'eccedenza individuata strato dielettrico dello strato intermedio il primo strato dei collegamenti è più sottile di lo strato dielettrico dello strato intermedio ha individuato l'eccedenza il secondo strato dei collegamenti tali che una differenza globale di altezza si presenta nella regione del bordo fra la prima regione e la seconda regione.