The invention broadens the range of materials and processes that are available for Thin Film Transistor (TFT) devices by providing in the device structure an organic semiconductor layer that is in contact with an inorganic mixed oxide gate insulator involving room temperature processing at up to 150 degrees C. A TFT of the invention has a pentacene semiconductor layer in contact with a barium zirconate titanate gate oxide layer formed on a polycarbonate transparent substrate employing at least one of the techniques of sputtering, evaporation and laser ablation.

L'invention élargit la gamme des matériaux et les processus qui sont disponibles pour des dispositifs du transistor de la couche mince (TFT) en fournissant dans la structure de dispositif par couche organique de semi-conducteur qui est en contact avec un isolateur mélangé inorganique de porte d'oxyde impliquant la température ambiante traitant à jusqu'à 150 degrés de C. Un TFT de l'invention a une couche de semi-conducteur de pentacene en contact avec une couche d'oxyde de porte de titanate de zirconate de baryum formée sur un substrat transparent de polycarbonate utilisant au moins une des techniques de l'ablation de pulvérisation, d'évaporation et de laser.

 
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