A method of fabricating a semiconductor optical device is provided comprising the steps of depositing planar layers of semiconductor material to form a semiconductor wafer having an optically active region, etching through the optically active region to form a plurality of facets, and simultaneously coating at least one facet and an upper surface of the semiconductor wafer with a coating layer having a thickness and composition such that, during operation of the semiconductor device, the coating layer acts both as a facet coating and as a wafer surface coating. Where the coating layer comprises a dielectric, the layer acts both as an anti-reflection facet coating and as a passivating layer. Where the coating layer comprises a metal, the layer acts both as a high-reflectivity facet coating and as an electrical contacting layer. In a first embodiment the semiconductor device comprises a laser and in a second embodiment comprises a photodetector.

Um método de fabricar um dispositivo ótico do semicondutor é fornecido que compreende as etapas de depositar camadas planar de material do semicondutor para dar forma a um wafer de semicondutor que tem uma região ótica ativa, gravando com a região ótica ativa para dar forma a um plurality dos facets, e revestindo simultaneamente ao menos um facet e uma superfície superior do wafer de semicondutor com uma camada revestindo que tem uma espessura e uma composição tais que, durante a operação do dispositivo de semicondutor, a camada revestindo age como um revestimento do facet e como um revestimento de superfície do wafer. Onde a camada revestindo compreende um dielétrico, a camada age como um revestimento do facet do anti-reflection e como uma camada passivating. Onde a camada revestindo compreende um metal, a camada age como um revestimento do facet do elevado-high-reflectivity e como uma camada contatando elétrica. Em uma primeira incorporação o dispositivo de semicondutor compreende um laser e em uma segunda incorporação compreende um photodetector.