A method and apparatus for high-pressure drying of semiconductor wafers includes the insertion of a wafer into an open vessel, the immersion of the wafer in a liquid, pressure-sealing of the vessel, pressurization of the vessel with an inert gas, and then the controlled draining of the liquid using a moveable drain that extracts water from a depth maintained just below the gas-liquid interface. Thereafter, the pressure may be reduced in the vessel and the dry and clean wafer may be removed. The high pressure suppresses the boiling point of liquids, thus allowing higher temperatures to be used to optimize reactivity. Megasonic waves are used with pressurized fluid to enhance cleaning performance. Supercritical substances are provided in a sealed vessel containing a wafer to promote cleaning and other treatment.

Un metodo e un apparecchio per essiccamento ad alta pressione delle cialde a semiconduttore include l'inserzione di una cialda in un vaso aperto, l'immersione della cialda in un liquido, il pressione-pressure-sealing del vaso, la pressurizzazione del vaso con un gas inerte ed allora lo scarico controllato del liquido usando uno scolo mobile che estrae l'acqua da una profondità effettuata appena sotto l'interfaccia gassosa-liquida. Da allora in poi, la pressione può essere ridotta nel vaso e la cialda asciutta e pulita può essere rimossa. L'alta pressione sopprime il punto di ebollizione dei liquidi, così permettendo che le più alte temperature siano usate per ottimizzare la reattività. Le onde di Megasonic sono usate con liquido pressurizzato per aumentare le prestazioni di pulizia. Le sostanze ipercritiche sono fornite in un vaso sigillato che contiene una cialda per promuovere pulire e l'altro trattamento.