There is provided an RF sputtering film forming method of forming a compound film having a stable composition by use of stable plasma with a broad process window to thus facilitate composition control of the compound film. In the RF sputtering film forming method, an alternating voltage or alternating current is applied to a part or all of walls positioned on the outside of a space formed between a wafer and a target, or an electron temperature in the plasma is reduced by oscillating the RF power in a pulse fashion, or a sputtering gas is composed of at least one kind of gases of helium, neon, xenon, and krypton, or a minus voltage is applied to a part or all of the walls positioned on the outside of the space formed between the wafer and the target.

Wird einem Rf Spritzenfilm versehen, der Methode der Formung eines zusammengesetzten Filmes bildet, der einen beständigen Aufbau mittels beständiges Plasma mit einem ausgedehnten Prozeßfenster zu folglich hat, erleichtern Aufbausteuerung des zusammengesetzten Filmes. Im Rf Spritzenfilm, der Methode bildet, wird eine Wechselspannung oder ein Wechselstrom an einem Teil oder an allen Wände angewendet, die auf die Außenseite eines Raumes in Position gebracht werden, der zwischen einer Oblate und einem Ziel gebildet wird, oder eine Elektrontemperatur im Plasma wird verringert, durch oszillieren die Rf Energie auf eine Impulsart und Weise, oder ein Spritzengas besteht aus mindestens einer Art Gase des Heliums, des Neons, des Xenons und des Kryptons, oder a minus der Spannung wird an einem Teil oder an allen Wände angewendet, die auf die Außenseite des Raumes in Position gebracht werden, der zwischen der Oblate und dem Ziel gebildet wird.