An electron emission device includes an electron-supply layer formed of metal or semiconductor; an insulator layer formed on the electron-supply layer; and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer, whereby electrons are emitted when an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode. The insulator layer and the thin-film metal electrode have at least one island-like region where the thicknesses of the insulator layer and the thin-film metal electrode gradually decrease.

Un dispositivo de la emisión del electrón incluye electro'n-provee la capa formada del metal o del semiconductor; una capa del aislador formó en electro'n-provee capa; y un electrodo thin-film del metal formó en la capa del aislador, por el que se emitan los electrones cuando un campo eléctrico se aplica entre electro'n-provee capa y el electrodo thin-film del metal. La capa del aislador y el electrodo thin-film del metal tienen por lo menos uno isla-como la región donde los gruesos de la capa del aislador y del electrodo thin-film del metal disminuyen gradualmente.