Integrated circuit capacitors in which the capacitor dielectric is a thin film of BST having a grain size smaller than 2000 .ANG.. Typical gain sizes are 40 nanometers and less. The BST is formed by deposition of a liquid precursor by a spin-on process. The original liquid precursor includes an alkoxycarboxylate dissolved in 2-methoxyethanol and an xylene exchange is preformed just prior to spinning. The precursor is dried in air at a temperature of about 400.degree. C. and then furnace annealed in oxygen at a temperature of between 675.degree. C. and 850.degree. C.

Condensadores del circuito integrado en los cuales el dieléctrico del condensador es una película fina del BST que tiene un ANG. de 2000 del tamaño de grano más pequeño. Los tamaños típicos del aumento son 40 nanómetros y menos. El BST es formado por la deposición de un precursor líquido por a hacer girar-en proceso. El precursor líquido original incluye un alkoxycarboxylate disuelto en 2-methoxyethanol y un intercambio del xileno se preforma apenas antes de hacer girar. El precursor se seca en aire en una temperatura alrededor de 400.degree. C. y entonces horno recocidos en oxígeno en una temperatura entre de 675.degree. C. y 850.degree. C.