The present invention describes the use of large thin film (TF) capacitors having capacitance C made in a separate set of TF layers ABOVE the Si and wiring levels of an integrated circuit (IC). This C is very large. This invention describes a two-level IC architecture in which a metal/insulator/metal (MIM) capacitor structure comprises the upper level, and CMOS logic and memory circuits made in the Si wafer substrate comprise the lower level. The added thin film capacitance serves to stabilize the power supply voltage at a constant level during GHz IC operation.

A invenção atual descreve o uso dos capacitores grandes da película fina (TF) que têm a capacidade C feita em um jogo separado de camadas do TF ACIMA do silicone e que wiring níveis de um circuito integrado (IC). Este C é muito grande. Esta invenção descreve uma arquitetura two-level do IC em que uma estrutura do capacitor de metal/insulator/metal (MIM) compreende o nível superior, e os circuitos da lógica do CMOS e de memória feitos na carcaça do wafer de silicone compreendem o nível mais baixo. A capacidade adicionada da película fina serve estabilizar a tensão da fonte de alimentação em um nível constante durante a operação do IC do gigahertz.