Various embodiments of an ion implantation apparatus are provided. In one aspect, an apparatus for implanting a workpiece with ions is provided that includes a housing enclosing a first chamber. A source of accelerated ions is provided for directing a beam of ions through the first chamber toward the workpiece. A second chamber is provided for holding the workpiece along with a plurality of longitudinally spaced chambers that are defined by the housing and a plurality of longitudinally spaced bulkheads. Each of the bulkheads has an aperture enabling fluid communication between the plurality of longitudinally spaced chambers and the passage of the beam of ions. A source of gas is coupled to the second chamber. A pumping system is provided for evacuating the first chamber, the second chamber and the plurality of longitudinally spaced chambers. The pumping system and the plurality of longitudinally spaced chambers provide an increase in pressure between the first chamber and the second chamber. The higher pressure level in the second chamber enables the gas to be present in the second chamber in sufficient quantities to impact the workpiece and neutralize charge building thereon. Charge buildup during implantation is reduced.

Verschiedene Verkörperungen eines Ionenimplantation Apparates werden zur Verfügung gestellt. In einem Aspekt ist ein Apparat für das Einpflanzen eines Werkstückes mit Ionen, vorausgesetzt daß ein Gehäuse miteinschließt, das einen ersten Raum umgibt. Eine Quelle der beschleunigten Ionen wird für die Richtung eines Lichtstrahls der Ionen durch den ersten Raum in Richtung zum Werkstück zur Verfügung gestellt. Ein zweiter Raum wird für das Halten des Werkstückes zusammen mit einer Mehrzahl der longitudinal Raumräume zur Verfügung gestellt, die durch das Gehäuse und eine Mehrzahl der longitudinal Raumschotte definiert werden. Jedes der Schotte hat eine Blendenöffnung, flüssiger Kommunikation zwischen der Mehrzahl der longitudinal Raumräume und dem Durchgang des Lichtstrahls der Ionen ermöglichend. Eine Quelle des Gases wird zum zweiten Raum verbunden. Ein Pumpsystem wird für das Evakuieren des ersten Raumes, des zweiten Raumes und der Mehrzahl der longitudinal Raumräume zur Verfügung gestellt. Das Pumpsystem und die Mehrzahl der longitudinal Raumräume liefern eine Zunahme des Drucks zwischen dem ersten Raum und dem zweiten Raum. Das höhere Druckniveau im zweiten Raum ermöglicht dem Gas, im zweiten Raum in den genügenden Quantitäten anwesend zu sein, das Werkstück auszuwirken und Aufladung Gebäude darauf zu neutralisieren. Aufladung Anhäufung während der Einpflanzung wird verringert.