An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has a film thickness of 50 nm or greater. The electron-supply layer has a film thickness of 2.5 .mu.m or greater. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

Un dispositif d'émission d'électron montre une efficacité élevée d'émission d'électron. Le dispositif inclut électron-fournissent la couche de métal ou le semi-conducteur, une couche de isolateur formée sur électron-fournissent la couche, et une électrode en couche mince en métal formée sur la couche de isolateur. La couche de isolateur a une épaisseur de film de 50 nm ou plus grand. Électron-fournissez la couche a une épaisseur de film du mu.m 2.5 ou plus grand. Quand un champ électrique est appliqué entre électron-fournissez la couche et l'électrode en couche mince en métal, le dispositif d'émission d'électron émet des électrons.