A bond pad sealing arrangement and method that utilizes ball bonds to protect a bond pad is described. A relatively large free air ball is formed at a distal end of a bonding wire used for ball bonding. The free air ball is pressed against a bond pad and ultrasonically welded to form a ball bond. The bonding parameters utilized during the ball bonding are selected such that excess ball material passes is squashed outward beyond the capillary tip and overflows the periphery of the bond pad thereby completely covering and sealing the bond pad. The described structure works well to protect aluminum and other bond pads that are subject to corrosion if left exposed. In one preferred arrangement the capillary used to form the ball bond includes a cavity arrangement that molds a central portion of the ball bond to form a good intermetallic bond between the bond pad and the bonding wire.

Una disposizione e un metodo di sealing del rilievo schiavo che utilizza i legami della sfera per proteggere un rilievo schiavo è descritta. Una sfera libera relativamente grande dell'aria è formata ad un'estremità distale di un legare di bonding usato per bonding di sfera. La sfera libera dell'aria è premuta contro un rilievo schiavo ed in modo ultrasonico è saldata per formare un legame della sfera. I parametri di bonding utilizzati durante il bonding di sfera sono selezionati tali che i passaggi materiali della sfera eccedente è esterno schiacciato oltre la punta capillare e trabocca la periferia del rilievo schiavo quindi completamente che copre e che sigilla il rilievo schiavo. La struttura descritta funziona bene per proteggere l'alluminio ed altri rilievi schiavi che sono conforme a corrosione se la parte di sinistra esponesse. In uno ha preferito la disposizione il vaso capillare usato per formare il legame della sfera include una disposizione della cavità che modella una parte centrale del legame della sfera per formare un buon legame intermetallic fra il rilievo schiavo ed il legare di bonding.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Low noise high PSRR band-gap with fast turn-on time

> Method for decreasing contact resistance of an electrode positioned inside a misaligned via for multilevel interconnects

> (none)

~ 00012