Method for fabricating a ferroelectric capacitor, including the steps of (1) foxing an etch stopper formed of any one of TiO.sub.2 and RuO.sub.2 a lower electrode, a ferroelectric layer, an upper electrode, and an etch mask layer formed of any one of Ti, Ru and Cr in succession on a substrate, (2) patterning the etch mask layer to a required form, (3) using the etch mask layer as a mask in etching the upper electrode, the ferroelectric layer, and the lower electrode at a time, to expose the etch stopper, and (4) removing the etch stopper and the etch mask layer, whereby allowing a simple and easy fabrication of the capacitor regardless of presence of steps.

Метод для изготовлять ferroelectric конденсатор, включая шаги (1) хитрить затвор etch сформированный любое одного из TiO.sub.2 и RuO.sub.2 более низкий электрод, ferroelectric слой, верхний электрод, и слой маски etch сформировал любое одного из ti, ru и cr в последовательности на субстрате, (2) делающ по образцу слой маски etch к необходим форме, (3) использующ слой маски etch по мере того как маска в вытравлять верхний электрод, ferroelectric слой, и более низкий электрод одновременно, для того чтобы подвергнуть действию затвор etch, и (4) извлекающ затвор etch и слой маски etch, whereby позволяющ просто и легкое изготовление конденсатора regardless of присутсвие шагов.