An MRAM device has a new type of memory bank (10) that includes bit lines (21-24), a reference line (27) and digit lines (25, 26), on intersections of bit lines and digit lines a plurality of magnetic memory cells (15-18) are arrayed. Bit lines are formed on both sides of the reference line on a substrate. Since each bit line is fabricated closely to the reference line, each cell has substantially the same hysteresis characteristics, which allow the MRAM device to provide a steady operation mode.

Um dispositivo de MRAM tem um tipo novo de banco de memória (10) que inclui as linhas do bocado (21-24), uma linha de referência (27) e as linhas do dígito (25, 26), em interseções de linhas do bocado e o dígito alinha um plurality das pilhas de memória magnéticas (15-18) é posto. As linhas do bocado são dadas forma em ambos os lados da linha de referência em uma carcaça. Desde que cada linha do bocado é fabricada pròxima à linha de referência, cada pilha tem substancialmente as mesmas características da histerese, que permitem que o dispositivo de MRAM forneça uma modalidade constante da operação.