A method for forming a patterned shape from a noble metal, in accordance with the present invention, includes forming a noble metal layer over a dielectric layer and patterning a hard mask layer on the noble metal layer. The hard mask layer includes a mask material that is selectively removable relative to the noble metal layer and the dielectric layer and capable of withstanding plasma etching. Alternately, the hard mask material may be consumable during the noble metal layer plasma etching. Plasma etching is performed on the noble metal layer in accordance with the patterned hard mask layer. The hard mask layer is removed such that a patterned shape formed in the noble metal layer remains intact after the plasma etching and the hard mask removal.

Een methode om een gevormde vorm van een edel metaal, overeenkomstig de onderhavige uitvinding te vormen, omvat het vormen van een edele metaallaag meer dan een diëlektrische laag en het vormen van een harde maskerlaag op de edele metaallaag. De harde maskerlaag omvat een maskermateriaal dat met betrekking tot de edele metaallaag de diëlektrische laag plasma ets selectief verwijderbaar en en kan weerstaan. Afwisselend, kan het harde maskermateriaal tijdens het edele plasma ets voor consumptie geschikt zijn van de metaallaag. Het plasma ets wordt uitgevoerd op de edele metaallaag overeenkomstig de gevormde harde maskerlaag. De harde maskerlaag wordt verwijderd dusdanig dat een gevormde vorm die in de edele metaallaag na het plasma ets en de harde maskerverwijdering wordt gevormd intact blijft.