An equal potential may be applied to a selected bit line and unselected bit lines during a read operation on a memory cell in a resistive cross point array. In the alternative, an equal potential may be applied to the selected bit line and unselected word lines.

Un potencial igual se puede aplicar a una línea seleccionada del pedacito y a líneas no seleccionadas del pedacito durante una operación leída en una célula de memoria en un arsenal resistente de punto cruzado. En el alternativa, un potencial igual se puede aplicar a la línea seleccionada del pedacito y a las líneas no seleccionadas de la palabra.