A Coulomb-blockade element includes a silicon layer formed on a substrate through an insulating film. The silicon layer includes a narrow wire portion and first and second electrode portions. The narrow wire portion serves as a conductive island for confining a charge. The first and second electrode portions are formed to be connected to the two ends of the narrow wire portion and are wider than the narrow wire portion. Each of the first and second electrode portions has constrictions on at least one of the upper and lower surfaces thereof, which make a portion near the narrow wire portion thinner than the narrow wire portion.

Un elemento del Coulomb-blocco include uno strato del silicone formato su un substrato attraverso una pellicola isolante. Lo strato del silicone include una parte stretta del legare ed in primo luogo e le seconde parti dell'elettrodo. La parte stretta del legare serve da isola conduttiva per il confine della carica. Le prime e seconde parti dell'elettrodo sono formate per essere collegate alle due estremità della parte stretta del legare e sono più larghe della parte stretta del legare. Ciascuna delle prime e seconde parti dell'elettrodo ha riduzioni almeno su uno degli intradossi superiori e di ciò, che fanno una parte vicino al legare stretto spartire il diluente che la parte stretta del legare.