A low resistance magnetic tunnel junction with low resistance barrier layer and method of fabrication is disclosed. A first magnetic layer of material with a surface is provided and a continuous layer of material, e.g. aluminum, is formed on the surface of the first magnetic layer. The continuous layer of material is treated to produce a low resistance barrier layer of oxynitride material and a second magnetic layer is formed on the barrier layer of oxynitride material to complete the low resistance magnetic tunnel junction.

Μια χαμηλή σύνδεση σηράγγων αντίστασης μαγνητική με το χαμηλές στρώμα εμποδίων αντίστασης και τη μέθοδο επεξεργασίας αποκαλύπτεται. Ένα πρώτο μαγνητικό στρώμα του υλικού με μια επιφάνεια παρέχεται και ένα συνεχές στρώμα του υλικού, π.χ. το αργίλιο, διαμορφώνεται στην επιφάνεια του πρώτου μαγνητικού στρώματος. Το συνεχές στρώμα του υλικού αντιμετωπίζεται για να παραγάγει ένα χαμηλό στρώμα εμποδίων αντίστασης oxynitride του υλικού και ένα δεύτερο μαγνητικό στρώμα διαμορφώνεται στο στρώμα εμποδίων oxynitride του υλικού για να ολοκληρώσει τη χαμηλή σύνδεση σηράγγων αντίστασης μαγνητική.