In growing silicon single crystals by the CZ method, the cooling rate in the 1150-1080.degree. C. temperature zone (defect-forming temperature range) where the grown-in defects are formed is set at more than 2.0.degree. C./min to manufacture single crystals having an as-grown LSTD density of larger than 3.0.times.10.sup.6 /cm.sup.3 or a FPD density of larger than 6.0.times.10.sup.5 /cm.sup.3. As this single crystal has a small defect size, thus the dissolution rate of the defects increases by the heat treatment in a non-oxidizing atmosphere containing a hydrogen gas, so the effect of the hydrogen heat treatment can extend to the depth more than 3 .mu.m from the wafer surface.

Nei monocristalli crescenti del silicone con il metodo di CZ, il tasso di raffreddamento nel 1150-1080.degree. La zona di temperatura del C. (cheforma la gamma di temperature) dove svilupp- nei difetti sono formati è regolata a più di 2.0.degree. C./min per produrre i monocristalli che hanno una densità come-sviluppata di LSTD di più grande di 3.0.times.10.sup.6 /cm.sup.3 o una densità di FPD di più grande di 6.0.times.10.sup.5 /cm.sup.3. Poichè questo monocristallo ha un piccolo formato di difetto, così il tasso di dissoluzione dei difetti aumenta tramite il trattamento termico in un atmosfera d'ossidazione che contiene un idrogeno, in modo da l'effetto del trattamento termico dell'idrogeno può estendere al mu.m 3 di profondità più di dalla superficie della cialda.