An electron beam apparatus includes an electron source having an electron-emitting device, an electrode for controlling an electron beam emitted from the electron source, a target to be irradiated with an electron beam emitted from the electron source and a spacer arranged between the electron source and the electrode. The spacer has a semiconductor film on the surface thereof that is electrically connected to the electron source and the electrode.

Un appareillage de faisceau d'électrons inclut une source d'électron ayant un dispositif d'électron-émission, une électrode pour commander un faisceau d'électrons émis de la source d'électron, une cible à irradier avec un faisceau d'électrons émis de la source d'électron et une entretoise disposée entre la source d'électron et l'électrode. L'entretoise a un film de semi-conducteur sur la surface en qui est électriquement reliée à la source d'électron et à l'électrode.