A method and system for fabricating a device on a substrate with a process
gas, such as with chemical vapor deposition. A reaction chamber and
support chuck cooperate to form a low conductance configuration for
axisymetric process gas flow over the substrate and to form a high
conductance configuration for enhanced evacuation of residual process gas
from the reaction chamber upon completion of the process. A dual
conductance chuck has an indented region that aligns with the exhaust port
of the reaction chamber to restrict process gas flow in the low
conductance configuration, and that moves distal a showerhead and the
exhaust port to provide reduced restriction of process gas flow for
reaction chamber evacuation. The chuck includes thermal control for
enhancing film deposition on the substrate and for reducing residual film
deposition on the chuck. An evacuation opening in the housing provides
independent evacuation of residual gas from the housing. The present
invention enhance throughput of device formation by reducing purge and
process cycle times.
Метод и система для изготовлять приспособление на субстрате с отростчатым газом, such as с низложение химически пара. Chuck камеры и поддержки реакции кооперирует для того чтобы сформировать низкую конфигурацию електропроводимостьи для axisymetric отростчатой подачи газа над субстратом и сформировать высокую конфигурацию електропроводимостьи для увеличенного опорожнения остаточного отростчатого газа от камеры реакции на завершении процесса. Двойной chuck електропроводимостьи имеет выделенную зону выравнивают с портом вытыхания камеры реакции для того чтобы ограничить отростчатую подачу газа в низкую конфигурацию електропроводимостьи, и которая движения дистальные showerhead и порт вытыхания, котор нужно обеспечить уменьшили ограничение отростчатой подачи газа для опорожнения камеры реакции. Chuck вклюает терморегулирование для увеличивать низложение пленки на субстрате и для уменьшения остаточного низложения пленки на chuck. Отверстие опорожнения в снабжении жилищем обеспечивает независимо опорожнение остаточного газа от снабжения жилищем. Присытствыющий вымысел увеличивает throughput образования приспособления путем уменьшение времен цикла продувки и процесса.
