The present invention discloses a method for forming a dielectric film having improved leakage current characteristics in a capacitor. A lower electrode having a surface and a rounded protruding portion is formed on a semiconductor substrate. The surface and the protruding portion define at least one concave area. A chemisorption layer is then formed on the surface and the rounded protruding portion by supplying a first reactant. Also, a physisorption layer is formed on the chemisorption layer from the first reactant. Next, a portion of the physisorption layer is removed and a portion of the physisorption layer is left on the concave area. Subsequently, the chemisorption layer and the portion of the physisorption layer on the concave area react with a second reactant to form a dielectric film on the surface of the lower electrode. The thickness of said dielectric film is greater on the concave area than on the protruding portion, thereby reducing leakage current.

La présente invention révèle une méthode pour former un film diélectrique ayant amélioré des caractéristiques courantes de fuite dans un condensateur. Une électrode inférieure ayant une surface et une partie saillante arrondie est formée sur un substrat de semi-conducteur. La surface et la partie saillante définissent au moins un secteur concave. Une couche de sorption chimique est alors formée sur la surface et la partie saillante arrondie en fournissant un premier réactif. En outre, une couche de physisorption est formée sur la couche de sorption chimique du premier réactif. Après, une partie de la couche de physisorption est enlevée et une partie de la couche de physisorption est laissée sur le secteur concave. Plus tard, la couche de sorption chimique et la partie de la couche de physisorption sur le secteur concave réagissent avec du deuxième réactif pour former un film diélectrique sur la surface de l'électrode inférieure. L'épaisseur de ledit film diélectrique est plus grande sur le secteur concave que sur la partie saillante, réduisant de ce fait le courant de fuite.

 
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