A method of making nanometer Si islands for single electron transistors is disclosed. Initially, a pad oxide is deposited over a silicon substrate. Oxygen ions are implanted into the silicon substrate to form an oxygen amorphized region and a high-temperature annealing is performed to form a buried oxide layer in the silicon substrate. Then, a thermal silicon oxide is formed to reduce the thickness of the silicon substrate on the buried oxide layer. The thermal oxide is removed and an ultra-thin oxide layer is then formed on the silicon substrate. A plurality of silicon nitride blocks is formed on the ultra-thin silicon oxide. Afterwards, the spacers of the silicon nitride blocks are formed. The silicon nitride blocks are removed by using wet etching technique. The ultra-thin silicon oxide is etched back and the polysilicon spacers are used as hard mask to Si substrate to form a plurality of nanometer silicon islands. The ultra-thin silicon oxide is removed and an ultra-thin oxynitride layer is regrown on the nanometer silicon islands. Finally, a n+ polysilicon layer is conformally deposited onto the silicon substrate and the nanometer silicon islands.

De eilanden van van methode van het maken nanometer Si voor enige elektronentransistors wordt onthuld. Aanvankelijk, wordt een stootkussenoxyde gedeponeerd over een siliciumsubstraat. De ionen van de zuurstof worden geïnplanteerd in het siliciumsubstraat om een zuurstof te vormen amorphized gebied en ontharden wordt het op hoge temperatuur uitgevoerd om een begraven oxydelaag in het siliciumsubstraat te vormen. Dan, wordt een thermisch siliciumoxyde gevormd om de dikte van het siliciumsubstraat op de begraven oxydelaag te verminderen. Het thermische oxyde wordt verwijderd en een uiterst dunne oxydelaag wordt dan gevormd op het siliciumsubstraat. Een meerderheid van de blokken van het siliciumnitride wordt gevormd op het uiterst dunne siliciumoxyde. Daarna, worden de verbindingsstukken van de blokken van het siliciumnitride gevormd. De blokken van het siliciumnitride worden verwijderd door natte etstechniek te gebruiken. Het uiterst dunne siliciumoxyde wordt terug geëtst en de polysilicon verbindingsstukken worden gebruikt als hard masker aan het substraat van Si om een meerderheid van de eilanden van het nanometersilicium te vormen. Het uiterst dunne siliciumoxyde wordt verwijderd en een uiterst dunne oxynitride laag is regrown op de eilanden van het nanometersilicium. Tot slot n + polysilicon wordt de laag conformally gedeponeerd op het siliciumsubstraat en de eilanden van het nanometersilicium.