A semiconductor memory device, a method for manufacturing the same, a memory circuit including the semiconductor memory device, and a method for driving the same, are provided. In detail, one transistor forms a memory cell, and a single transistor cell capable of arbitrarily accessing the memory cell, a method for manufacturing the same, a memory circuit, and a method for driving the memory circuit, are provided. An island type semiconductor layer as an active region is formed on a ferroelectric layer. A word line crosses the semiconductor layer. A source is formed on the semiconductor layer on one side of the word line, and a drain is formed on the other side. A plate line is formed below the ferroelectric layer to face the word line, and intersects the word line. A drive line is connected to the source, and a bit line is connected to the drain.

Un dispositivo di memoria a semiconduttore, un metodo per la produzione dello stesso, un circuito di memoria compreso il dispositivo di memoria a semiconduttore e un metodo per l'azionamento dello stesso, sono forniti. Dettagliatamente, un transistore forma una cellula di memoria e una singola cellula del transistore capace arbitrariamente di accesso alla cellula di memoria, ad un metodo per la produzione dello stesso, ad un circuito di memoria ed a del metodo per l'azionamento del circuito di memoria, è fornita. Un tipo strato dell'isola a semiconduttore come regione attiva è formato su uno strato ferroelectric. Una linea di parola attraversa lo strato a semiconduttore. Una fonte è formata sullo strato a semiconduttore da un lato della linea di parola e uno scolo è formato dall'altro lato. Una linea della piastra è formata sotto lo strato ferroelectric per affrontare la linea di parola ed interseca la linea di parola. Una linea dell'azionamento è collegata alla fonte e una linea della punta è collegata allo scolo.