A voltage stress testable embedded dual capacitor structure for use in an integrated circuit (IC). The voltage stress testable embedded dual capacitor structure includes a semiconductor substrate with an electrically insulating base layer thereon, a first embedded dual capacitor and a second embedded dual capacitor connected in series and disposed on the electrically insulating base layer, and a probe pad. The probe pad is electrically connected directly to the first and second embedded dual capacitors at a location therebetween (e.g. by being connected to an electrically conductive top plate of the second embedded dual capacitor). The voltage stress testable embedded dual capacitor structure can be voltage stress tested using an applied voltage high enough to assure the reliability of the first and second embedded dual capacitors, without exposing other electronic devices in the IC to a damaging level of voltage. Also provided is a process for voltage stress testing embedded dual capacitors. The process includes steps of first providing the voltage stress testable embedded dual capacitor structure described above, followed by voltage stress testing the first embedded dual capacitor. The voltage stress test step includes applying a first predetermined test probe voltage to the probe pad, thereby inducing a first predetermined electric field across the first embedded dual capacitor. The current flow across the first embedded capacitor resulting from that electric field is then measured. Subsequently, the second embedded dual capacitor is voltage stress tested in the same manner as the first embedded dual capacitor.

Een toetsbare ingebedde dubbele de condensatorstructuur van de voltagespanning voor gebruik in een geïntegreerde schakeling (IC). De toetsbare ingebedde dubbele de condensatorstructuur van de voltagespanning omvat een halfgeleidersubstraat daarop met een elektrisch het isoleren basislaag, een eerste ingebedde dubbele condensator en een tweede ingebedde dubbele condensator verbonden in reeks en dat op de elektrisch het isoleren basislaag wordt geschikt, en een sondestootkussen. Het sondestootkussen wordt elektrisch verbonden rechtstreeks met de eerste en de tweede ingebedde dubbele condensatoren bij een plaats therebetween (b.v. door met een elektrisch geleidende hoogste plaat van de tweede ingebedde dubbele condensator worden verbonden). De toetsbare ingebedde dubbele de condensatorstructuur van de voltagespanning kan geteste voltagespanning zijn gebruikend een toegepast voltage hoog genoeg om de betrouwbaarheid van de eerste en tweede ingebedde dubbele condensatoren te verzekeren, zonder andere elektronische apparaten in IC aan een schadelijk niveau van voltage bloot te stellen. Op voorwaarde dat ook een proces voor voltagespanning die ingebedde dubbele condensatoren test is. Het proces omvat stappen van eerst het verstrekken van de toetsbare ingebedde dubbele hierboven beschreven de condensatorstructuur van de voltagespanning, die door voltagespanning worden gevolgd die de eerste ingebedde dubbele condensator test. De de teststap van de voltagespanning omvat het toepassen van een eerste vooraf bepaald voltage van de testsonde op het sondestootkussen, daardoor veroorzakend een eerste vooraf bepaald elektrisch gebied over de eerste ingebedde dubbele condensator. De huidige stroom over de eerste ingebedde condensator die uit dat elektrische veld voortvloeit wordt dan gemeten. Later, is de tweede ingebedde dubbele condensator voltagespanning die op de zelfde manier wordt getest zoals de eerste ingebedde dubbele condensator.