In a SOI structure according to the invention, a substrate region directly adjacent and underlying the buried oxide layer is doped with a dopant having a conductivity type opposite that of the substrate. This produces a junction between the doped layer and the substrate. Appropriately biasing this junction creates a depletion layer, which effectively extends the width of the buried oxide layer deep into the substrate, thereby reducing parasitic capacitance in the SOI structure, particularly for inductors, interconnects, and other passive circuit elements. Reducing parasitic capacitance reduces associated substrate losses and RC propagation delays. These benefits become increasingly important at high frequencies encountered in RF wireless communication and high speed digital applications.

В структуре SOI согласно вымыслу, зона субстрата сразу смежная и основная похороненный слой окиси дана допинг при dopant имея тип проводимости напротив того из субстрата. Это производит соединение между данным допинг слоем и субстратом. Соотвествующе склонять это соединение создает слой расхода, который эффективно расширяет ширину похороненного слоя окиси глубоко в субстрат, таким образом уменьшая паразитную емкость в структуре SOI, определенно для индукторов, соединяет, и другие пассивные элементы цепи. Уменьшение паразитной емкости уменьшает associated потери субстрата и распространение RC задерживает. Эти преимущества будут все больше и больше важными на высоких частотах столкнутых в связи rf беспроволочной и высокоскоростных цифровых применениях.