An apparatus and method for constructing a temperature insensitive memory cell. This temperature insensitive memory cell operates as a static random access memory (SRAM) cell if a particular capacitor and transistor configuration is used. The temperature insensitive memory cell apparatus includes at least one transistor having a current leakage, and at least one capacitor electrically connected to the transistor. The capacitor acts as a load element for the memory cell. The capacitor has a temperature dependent capacitor leakage that tracks the current leakage of transistor as said at least one transistor as the transistor varies with temperature.

Um instrumento e um método para construir uma pilha de memória insensitive da temperatura. Esta pilha de memória insensitive da temperatura opera-se como uma pilha de estática da memória de acesso aleatório (SRAM) se um capacitor particular e configuração do transistor for usado. O instrumento insensitive da pilha de memória da temperatura inclui ao menos um transistor que têm um escapamento atual, e ao menos um capacitor conectado eletricamente ao transistor. O capacitor age como um elemento da carga para a pilha de memória. O capacitor tem um escapamento dependente do capacitor da temperatura que siga o escapamento atual do transistor como dito ao menos um transistor enquanto o transistor varia com temperatura.