A power chip set for a switching mode power supply includes a high voltage chip and a control unit chip. The high voltage chip contains a switching power metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor being turned on/off under control of an output signal from the control unit, and a junction field effect transistor (JFET) coupled between a drain of the switching power MOS transistor and a power terminal of the control unit to serve as a start up element for driving the control unit during initiation, in which the JFET has a negative threshold voltage and the absolute value thereof is equal to the voltage for driving the control unit. The JFET structure in the high voltage chip further includes a Zener diode for over voltage protection of the control unit. The high voltage chip further contains a current-sense power MOS transistor coupled with the drain of the switching power MOS transistor for detecting a drain current of the switching power MOS transistor. The chip set can be packaged into a power module.

Een reeks van de machtsspaander voor een de machtslevering van de omschakelingswijze omvat een hoog voltagespaander en een spaander van de controleeenheid. De hoog voltagespaander bevat de metaal-oxyde-halfgeleider van de omschakelingsmacht (MOS) transistor die/weg onder controle van een outputsignaal wordt een aangezet van de controleeenheid, en een het effect van het verbindingsgebied transistor (JFET) die tussen een afvoerkanaal van de MOS van de omschakelingsmacht transistor en een machtsterminal wordt gekoppeld van de controleeenheid om als startelement te dienen voor het drijven van de controleeenheid tijdens initiatie, waarin JFET een negatief drempelvoltage en de absolute waarde daarvan heeft is gelijk aan het voltage voor het drijven van de controleeenheid. De structuur JFET in de hoog voltagespaander omvat verder een diode Zener voor over voltagebescherming van de controleeenheid. De hoog voltagespaander bevat verder een MOS van de huidig-betekenismacht transistor die aan het afvoerkanaal van de MOS van de omschakelingsmacht transistor voor het ontdekken van een afvoerkanaalstroom wordt gekoppeld van de MOS van de omschakelingsmacht transistor. De spaanderreeks kan in een machtsmodule worden verpakt.