A method for depositing silicon nitride on a semiconductor wafer uses plasma enhanced chemical vapor deposition at very low temperatures. The temperature in a silicon nitride deposition chamber is set to be about 170.degree. C. or less. Silane gas (SiH.sub.4) flows into the silicon nitride deposition chamber with a flow rate in a range of from about 300 sccm (standard cubic cm per minute) to about 500 sccm. Nitrogen gas (N.sub.2) flows into the silicon nitride deposition chamber with a flow rate in a range of from about 500 sccm to about 2000 sccm. Ammonia gas (NH.sub.3) flows into the silicon nitride deposition chamber with a flow rate in a range of from about 1.0 slm to about 2.2 slm. A high frequency RF signal is applied on a showerhead within the deposition chamber. A low frequency RF signal is applied on a heating block for holding the semiconductor wafer. A predetermined volume for the silicon nitride deposition chamber is used such that pressure within the silicon nitride deposition chamber is in a range of from about 1.0 torr to about 2.4 torr. The semiconductor wafer is placed inside the silicon nitride deposition chamber for a soak time period of about 30 seconds or greater before the high frequency RF signal is applied on the showerhead in the deposition chamber and the low frequency RF signal is applied on the heating block. When the semiconductor wafer reaches the deposition temperature, the high frequency RF signal and the low frequency RF signal are applied for deposition of the silicon nitride layer onto the semiconductor wafer. By using low temperatures during the deposition of the silicon nitride layer, the structural integrity of any structure already on the semiconductor wafer is advantageously preserved.

Μια μέθοδος για το νιτρίδιο πυριτίου σε μια γκοφρέτα ημιαγωγών χρησιμοποιεί ενισχυμένη την πλάσμα απόθεση χημικού ατμού στις πολύ χαμηλές θερμοκρασίες. Η θερμοκρασία σε μια αίθουσα απόθεσης νιτριδίων πυριτίου τίθεται ως στόχος να είναι για 170.degree. Γ. ή λιγότερους. Silane αέριο (SiH.sub.4) ρέει στην αίθουσα απόθεσης νιτριδίων πυριτίου με ένα ποσοστό ροής σε μια σειρά από το sccm περίπου 300 (τυποποιημένο κυβικό εκατ. ανά λεπτό) σε περίπου το sccm 500. Το άζωτο αέριο (N.sub.2) ρέει στην αίθουσα απόθεσης νιτριδίων πυριτίου με ένα ποσοστό ροής σε μια σειρά από το sccm περίπου 500 σε περίπου το sccm του 2000. Η αμμωνία αέριο (NH.sub.3) ρέει στην αίθουσα απόθεσης νιτριδίων πυριτίου με ένα ποσοστό ροής σε μια σειρά από το SLM περίπου 1,0 σε περίπου το SLM 2,2. Ένα σήμα υψηλής συχνότητας RF εφαρμόζεται σε ένα showerhead μέσα στην αίθουσα απόθεσης. Ένα σήμα χαμηλής συχνότητας RF εφαρμόζεται σε έναν φραγμό θέρμανσης για το κράτημα της γκοφρέτας ημιαγωγών. Ένας προκαθορισμένος όγκος για την αίθουσα απόθεσης νιτριδίων πυριτίου χρησιμοποιείται έτσι ώστε η πίεση μέσα στην αίθουσα απόθεσης νιτριδίων πυριτίου είναι σε μια σειρά από περίπου 1,0 torr σε περίπου 2,4 torr. Η γκοφρέτα ημιαγωγών τοποθετείται μέσα στην αίθουσα απόθεσης νιτριδίων πυριτίου γιατί ενυδατώστε το χρονικό διάστημα περίπου 30 δευτερολέπτων ή μεγαλύτερος προτού να εφαρμοστεί το σήμα υψηλής συχνότητας RF στο showerhead στην αίθουσα απόθεσης και το σήμα χαμηλής συχνότητας RF εφαρμόζεται στο φραγμό θέρμανσης. Όταν η γκοφρέτα ημιαγωγών φθάνει στη θερμοκρασία απόθεσης, το σήμα υψηλής συχνότητας RF και το σήμα χαμηλής συχνότητας RF εφαρμόζονται για την απόθεση του στρώματος νιτριδίων πυριτίου επάνω στην γκοφρέτα ημιαγωγών. Με τη χρησιμοποίηση των χαμηλών θερμοκρασιών κατά τη διάρκεια της απόθεσης του στρώματος νιτριδίων πυριτίου, η δομική ακεραιότητα οποιασδήποτε δομής ήδη στην γκοφρέτα ημιαγωγών συντηρείται ευνοϊκά.