A process for the controlled formation of self-aligned dual thickness cobalt silicide layers during the manufacturing of a semiconductor device that requires a minimum number of steps and is compatible with standard MOS processing techniques. In the process according to the present invention, a semiconductor device structure (such as an MOS transistor) is first provided. The semiconductor device structure includes exposed silicon substrate surfaces (such as shallow drain and source regions) and a silicon layer structure disposed above the semiconductor substrate surface (such as a polysilicon gate). A cobalt layer is then deposited over the semiconductor device structure followed by the deposition of a titanium capping layer. Next, the thickness of the titanium capping layer above the silicon layer structure (e.g. a polysilicon gate) is selectively reduced using, for example, chemical mechanical polishing techniques. Cobalt from the cobalt layer is subsequently reacted with silicon from the exposed silicon substrate surfaces to form a first self-aligned cobalt silicide layer on these surfaces. At the same time, cobalt from the cobalt layer is reacted with silicon from the silicon layer structure to form a second self-aligned cobalt silicide layer thereon, which is thicker than the first self-aligned cobalt silicide layer.

Un processus pour la formation commandée de art de l'auto-portrait-aligned conjuguent des couches de siliciure de cobalt d'épaisseur pendant la fabrication d'un dispositif de semi-conducteur qui exige un nombre minimum d'étapes et est compatible avec des techniques de traitement standard de MOS. Dans le processus selon la présente invention, une structure de dispositif de semi-conducteur (telle qu'un transistor de MOS) est d'abord fournie. La structure de dispositif de semi-conducteur inclut des surfaces exposées de substrat de silicium (telles que des régions peu profondes de drain et de source) et une structure de couche de silicium disposée au-dessus de la surface de substrat de semi-conducteur (telle qu'une porte de polysilicon). Une couche de cobalt est alors déposée au-dessus de la structure de dispositif de semi-conducteur suivie du dépôt d'une couche couvrante titanique. Après, l'épaisseur de la couche couvrante titanique au-dessus de la structure de couche de silicium (par exemple une porte de polysilicon) est sélectivement réduite en utilisant, par exemple, des techniques de polissage mécaniques chimiques. Le cobalt de la couche de cobalt est plus tard mis à réagir avec le silicium des surfaces exposées de substrat de silicium pour former une première couche de siliciure de cobalt de art de l'auto-portrait-aligned sur ces surfaces. En même temps, le cobalt de la couche de cobalt est mis à réagir avec le silicium de la structure de couche de silicium pour former une deuxième couche de siliciure de cobalt de art de l'auto-portrait-aligned là-dessus, qui est plus épaisse que la première couche de siliciure de cobalt de art de l'auto-portrait-aligned.