A method for forming a self-aligned contact structure is disclosed based on an HDP-CVD (High-Density Plasma-Chemical Vapor Deposition) process. Initially, after a polysilicon layer and a metal layer are deposited and patterned on a wafer to fabricate a gate stack, an HDP-CVD process is employed to form a deposition layer to cover the patterned layers and wafer. A building of sharp ridges occurs over the gate stack. Next, a spacer deposition layer is then conformally deposited to cover the HDP-CVD deposition layer. An anisotropically etch process is then performed to etch the spacer deposition layer, wherein at least portions of the spacer deposition layer still covers top of the gate stack. Another anisotropically etch process is then performed to form the required contacts on the wafer. Because the HDP-CVD deposition layer on the gate structure is thick enough to protect the gate stack from etching, it is unnecessary to form the cap layer as conventionally.

Une méthode pour former une structure de contact de art de l'auto-portrait-aligned est révélée a basé sur un processus de HDP-CVD (dépôt de vapeur de Plasma-Produit chimique de Haut-Densité). Au commencement, après une couche de polysilicon et métal une couche sont déposées et modelé sur une gaufrette pour fabriquer une pile de porte, un processus de HDP-CVD est utilisé pour former une couche de dépôt pour couvrir les couches et la gaufrette modelées. Un bâtiment des arêtes pointues se produit au-dessus de la pile de porte. Après, une couche de dépôt d'entretoise alors est conformally déposée pour couvrir la couche de dépôt de HDP-CVD. Anisotropically un processus gravure à l'eau forte est alors effectué pour graver à l'eau-forte la couche de dépôt d'entretoise, où au moins les parties de la couche de dépôt d'entretoise couvre toujours le dessus de la pile de porte. Des autres gravent à l'eau-forte anisotropically le processus sont alors exécutés pour former les contacts exigés sur la gaufrette. Puisque la couche de dépôt de HDP-CVD sur la structure de porte doit assez profondément protéger la pile de porte contre gravure à l'eau-forte, il est inutile de former la couche de chapeau en tant que par convention.