A susceptor for supporting wafers in a reaction chamber of a barrel reactor during a chemical vapor deposition process. The susceptor includes a body sized and shaped for receipt within the reaction chamber of the barrel reactor. The body includes a generally laterally facing, sloped face having a plurality of circular recesses therein for receiving wafers to support the wafers with one surface directed generally laterally outward for exposure to reactant gas inside the reaction chamber of the barrel reactor during the chemical vapor deposition process. Each of the plurality of recesses has a substantially planar bottom and opposing arcuate wall portions on opposite sides of the planar bottom. Each wall portion intersects and merges with a corresponding wall portion of at least one adjoining recess of the plurality of recesses at an intersection. The wall portions at the intersections have a smooth shape which is continuous and uninterrupted with respect to at least one adjoining wall portion thereby inhibiting epitaxial deposition between the wafers and the susceptor at the intersections and reducing wafer chipping when the wafers are removed from the recesses following the chemical vapor deposition process.

Un susceptor per le cialde di sostegno in un alloggiamento di reazione di un reattore del barilotto durante il processo di deposito di vapore chimico. Il susceptor include un corpo graduato ed a forma di per la ricevuta all'interno dell'alloggiamento di reazione del reattore del barilotto. Il corpo include generalmente lateralmente un affronto, faccia pesa che ha una pluralità di incavi circolari in ciò per la ricezione delle cialde per sostenere le cialde con una superficie diretta generalmente lateralmente esternamente per esposizione al gas del reattivo all'interno dell'alloggiamento di reazione del reattore del barilotto durante il processo di deposito di vapore chimico. Ciascuna della pluralità di incavi ha una parte inferiore sostanzialmente planare e lle parti arcuate avversarie della parete dai lati opposti della parte inferiore planare. Ogni parte della parete interseca e si fonde con una parte corrispondente della parete almeno di un incavo contiguo della pluralità di incavi ad un'intersezione. Le parti della parete alle intersezioni hanno una figura regolare che è continua ed ininterrotta riguardo almeno ad una parte contigua della parete quindi che inibisce il deposito epitassiale fra le cialde ed il susceptor alle intersezioni e che riduce la cialda che scheggia quando le cialde sono rimosse dagli incavi che seguono il processo di deposito di vapore chimico.

 
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