A high dielectric constant material containing tantalum expressed by chemical formula Ta.sub.x O.sub.y N.sub.z, where x, y, and z are each a value which in total yield 1, z is 0.1 or higher but 0.625 or lower, y is 0 or higher but 0.6 or lower, and 0.4y and 0.6z in total equals to the value of x or lower, and a process for depositing a film of the material by means of chemical vapor deposition using Cp.sub.m Ta(N.sub.3).sub.n, where Cp represents cyclopentane, and m+n=5, or using a gaseous tantalum-containing organometallic compound, or by a means comprising plasma treatment under a gas containing nitrogen. Also claimed are a semiconductor device and a MOS transistor using the high dielectric film containing tantalum.

Высокий материал диэлектрической константы содержа тантал выраженный химически формулой Ta.sub.x O.sub.y N.sub.z, где х, ы, и з каждые значение которое в полном выходе 1, з 0.1 или высокими но 0.625 или низкие, ы 0 или высокими но 0.6 или низкое, и 0.4y и 0.6z в равных итога к значению х или низко, и процессу для депозировать пленку материала посредством низложения химически пара использующ Cp.sub.m Ta(N.sub.3).sub.n, где cp представляет cyclopentane, и m+n=5, или использующ газообразную тантал-soderja металлоорганическую смесь, или серединами состоя из обработки плазмы под газом содержа азот. Также востребованы прибора на полупроводниках и транзистор mos использующ высокую диэлектрическую пленку содержа тантал.