Resistance of a selected memory cell in a Magnetic Random Access Memory ("MRAM") device is sensed by a read circuit including a direct injection charge amplifier, an integrator capacitor and an analog sense amplifier. The direct injection charge amplifier supplies current to the integrator capacitor while maintaining an equipotential voltage on non-selected memory cells in the MRAM device. As the direct injection charge amplifier applies a fixed voltage to the selected memory cell, the sense amplifier generates an input signal having a transition that is time-delayed according to the voltage on the integrator capacitor; generates a reference signal having a time-fixed transition; and compares a relative occurrence of transitions in the input and reference signals. The relative occurrence indicates whether a logic value of `0` or `1` is stored in the selected memory cell.

Сопротивление выбранный ячейкы памяти в магнитном приспособлении памяти случайного доступа ("MRAM") воспринято прочитанной цепью включая сразу усилитель обязанности впрыски, конденсатор интегратора и сетноой-аналогов усилитель чувства. Сразу усилитель обязанности впрыски поставляет течение к конденсатору интегратора пока поддерживающ равностепенное напряжение тока на нон-vybrannye ячейкы памяти в приспособлении MRAM. По мере того как сразу усилитель обязанности впрыски придает фикчированное напряжение тока к выбранный ячейкы памяти, усилитель чувства производит входной сигнал имея переход который врем-zaderjan согласно напряжению тока на конденсаторе интегратора; производит сигнал справки имея врем-fikcirovanny1 переход; и сравнивает относительное возникновение переходов в сигналах входного сигнала и справки. Относительное возникновение показывает хранится ли значение логики ` 0` или ` 1` в выбранный ячейкы памяти.