A method and apparatus provide for etching a semiconductor wafer using a two step physical etching and a chemical etching process in order to create vertical sidewalls required for high density DRAMs and FRAMs.

Une méthode et un appareil prévoient graver à l'eau-forte une gaufrette de semi-conducteur en utilisant gravure à l'eau-forte physique de deux étapes et un processus chimique gravure à l'eau-forte afin de créer les parois latérales verticales exigées pour des drachmes à haute densité et FRAMs.