A method for forming a dielectric layer within a microelectronics fabrication. There is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a polysilicon resistor. There is then formed over the polysilicon resistor a first dielectric layer formed of a silicon nitride dielectric material deposited employing a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method other than a high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) method. Finally, there is then formed over the first dielectric layer a second dielectric layer deposited employing a high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) method, where first dielectric layer attenuates a decrease in resistance of the polysilicon resistor incident to forming the second dielectric layer over the first dielectric layer.

Um método para dar forma a uma camada dieléctrica dentro de uma fabricação da microeletrônica. É fornecido primeiramente uma carcaça. É dado forma então sobre a carcaça um resistor do polysilicon. É dado forma então sobre o resistor que do polysilicon uma primeira camada dieléctrica deu forma de um material dieléctrico do nitride de silicone depositado empregando um método realçado plasma do deposition de vapor químico (PECVD) à excepção de um método elevado do deposition de vapor químico do plasma da densidade (HDP-CVD). Finalmente, há então um excesso dado forma a primeira camada dieléctrica um a segunda camada dieléctrica depositada empregando um método elevado do deposition de vapor químico do plasma da densidade (HDP-CVD), onde a primeira camada dieléctrica atenue uma diminuição na resistência do incident do resistor do polysilicon a dar forma ao segundo excesso dieléctrico da camada a primeira camada dieléctrica.